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multisim的Q1在哪里
1、首先在Multisim的电路输入窗口中搭建电压采样电路，如下图所示。仿真后测试结果如下图所示。这时可以在电路中的不同地方插入探针，以便于一步步跟进分析。
2、这两个元件是multisim中的电压表和电流表，在指示部件库中找，如图：第一项是电压表，第二项是电流表。
3、在电源库中找，如图：调出这个数字电平元件后，鼠标单击元件中的0或1，或使用空格键，都可设置该元件的高、低电平输出。
4、multisim引脚在选项菜单中选择“页属性”进入页属性窗口。如果红表笔接的是基极b。
5、Multisim中的小圆圈的电灯泡在“绘制”→“主数据库”→“Basic→“SCHEMATIC_SYMBOLS”→“LAMP”，即可。就是普通灯泡符号，按照流程图可以在页面上显示。
传输延迟时间不能作为衡量门电路工作速度的重要指标
反映了与非门的带负载能力。平均传输延迟时间t(pd)：平均延迟时间是衡量门电路速度的重要指标，指一个矩形波信号从与非门输入端到与非门输出端所延迟的时间。
对。根据查询cmos集成门电路的相关信息得知，影响cmos集成门电路的运行速度主要是传输延迟和转换时间对。由栅衬之间等效的电容和上级的等效电阻组成的RC结构引起了传输延时时间。
(2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)，但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数。传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间，其数值与电源电压VDD及负载电容的大小有关。
静态功耗：与CMOS门电路中的晶体管漏电流有关，表示在静止状态下，CMOS门电路的能耗。 时钟频率：与CMOS门电路中的晶体管开关速度有关，表示CMOS门电路能够处理的最高时钟频率。
触发电路的组成和工作原理
它通过检测控制电路中的电压变化来控制开关的打开和关闭。电子触发器通常由两个主要组件组成：一个电子元件（如电子管或晶体管）和一个开关元件（如触发开关或电磁继电器）。
施密特触发器通常由三个部分组成：一个NPN型三极管、一个PNP型三极管和一些支持电路。它的工作原理是利用了三极管放大器的非线性特性。
触发器的工作原理最简的说法，那就是一个开关，类似于电机里面的电刷形式，只是没有真的接触到一块。
输入电压的负向递减和正向递增两种不同变化方向有不同的阈值电压，使得它具有较强的抗干扰能力。施密特触发器的原理类似于带有延时的比较器。其比较的对象是输入电平和二分之一的电源电压。
原理是当单结晶体管的控制端与正极相连时，经过一个门电流的触发，单结晶体管就会变成一个导通的状态，从而实现对负载的控制。
74LS175有什么用?
1、因为74LS175是下降沿触发的，故按下除复位之外的不论什么的按键都将不会发生电路状态的变化，即输入被锁定。达到了既定的功能方针。
2、叫清除端。74ls175是一种抢答器，mr也叫公共置零端，低电平有效。74ls175是常用的六D触发器集成电路，里面含有6组d触发器，可以用来构成寄存器。
3、ls175管脚图引脚图如图所示：74ls175内部原理图：74ls175是常用的六D触发器集成电路，里面含有6组d触发器，可以用来构成寄存器，抢答器等功能部件。
4、ls175不可以用cd系列代替，74ls175可以用74ls174六D触发器代替，74ls175是常用的六D触发器集成电路，里面含有6组d触发器，可以用来构成寄存器，抢答器等功能部件，不建议使用cd系列代替。
5、ls175集成寄存器引脚图及功用寄存器是核算机和别的数字系统顶用来存储代码或数据的逻辑部件。它的首要构成有些是触发器。一个触发器能存储1位二进制代码，所以要存储n位二进制代码的寄存器就需求用n个触发器构成。
6、D触发器，1引脚为公共清零端。16引脚高电平，8引脚低电平，2，3，4分别为一个触发器的Q，Q，D。
到此，以上就是小编对于门电路传输延迟时间的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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